Антава

ONSEMI

Транзистор FDMD8260L

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
40A
Pulsed drain current
293A
Power dissipation
37W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDMD8260L
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current40A
Pulsed drain current293A
Power dissipation37W
КорпусPQFN12
Gate-source voltage±20V
On-state resistance8.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge68nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 40A; Idm: 293A; 37W; PQFN12

Документация

Документы пока не предоставлены.