Антава

ONSEMI

Транзистор FDMC8200

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/30 V
Drain current
18/18 A
Power dissipation
1.9/2.2 W
Корпус
Power33
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDMC8200
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/30 V
Drain current18/18 A
Power dissipation1.9/2.2 W
КорпусPower33
Gate-source voltage±20/±20 V
On-state resistance32/13.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10/22nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 18/18A; 1.9/2.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.