Антава

ONSEMI

Транзистор FDMC8010DC

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
99A
Pulsed drain current
788A
Power dissipation
50W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDMC8010DC
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current99A
Pulsed drain current788A
Power dissipation50W
КорпусPQFN8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.89mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge94nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 99A; Idm: 788A; 50W; PQFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.