Антава

ONSEMI

Транзистор FDMC8010

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
75 A
Pulsed drain current
120 A
Power dissipation
54 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDMC8010
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current75 A
Pulsed drain current120 A
Power dissipation54 W
КорпусPower33
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge94nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 120A; 54W; Power33

Документация

Документы пока не предоставлены.