Антава

ONSEMI

Транзистор FDMC7678-L701

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Drain-source voltage
30 V
Drain current
17.5 A
Power dissipation
2.3 W
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDMC7678-L701
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Drain-source voltage30 V
Drain current17.5 A
Power dissipation2.3 W
Gate-source voltage20 V
On-state resistance5.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge39nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; 17.5A; 2.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.