ONSEMI

Транзистор FDMC6675BZ

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -20 A
Pulsed drain current: -32 A
Power dissipation: 36 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	FDMC6675BZ
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-20 A
Pulsed drain current	-32 A
Power dissipation	36 W
Корпус	WDFN8
Gate-source voltage	±25 V
On-state resistance	27 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	65nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.