Антава

ONSEMI

Транзистор FDMC4435BZ

FDMC4435BZ
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-18 A
Рассеиваемая мощность
31 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 375 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%310,22 ₽

Сумма · с НДС 22%310,22 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1310,22 ₽
от 5234,19 ₽
от 10203,71 ₽
от 50147,58 ₽
от 100129,29 ₽
от 500113,51 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDMC4435BZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-18 A
Рассеиваемая мощность31 W
КорпусMLP8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance37 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge53nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8

Документация

Документ производителя