ONSEMI
Транзистор FDMC2523P
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- QFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -150 V
- Drain current
- -1.8 A
- Рассеиваемая мощность
- 42 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 671 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%473,41 ₽
Сумма · с НДС 22%473,41 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 473,41 ₽ | |
| от 5 | 281,53 ₽ | |
| от 10 | 261,81 ₽ | |
| от 50 | 224,15 ₽ | |
| от 100 | 208,01 ₽ | |
| от 250 | 188,29 ₽ | |
| от 500 | 175,73 ₽ | |
| от 1000 | 164,97 ₽ | |
| от 3000 | 156,01 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FDMC2523P |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | QFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -150 V |
| Drain current | -1.8 A |
| Рассеиваемая мощность | 42 W |
| Корпус | MLP8 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 3.6 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 9nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.