Антава

ONSEMI

Транзистор FDMC007N30D

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/30V
Drain current
18/29A
Power dissipation
1.9/2.5W
Корпус
WDFN8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDMC007N30D
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/30V
Drain current18/29A
Power dissipation1.9/2.5W
КорпусWDFN8
Gate-source voltage±12/±12V
On-state resistance16.3/9mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17/34nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 18/29A; 1.9/2.5W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.