Антава

ONSEMI

Транзистор FDMA910PZ

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-9.4 A
Pulsed drain current
-45 A
Power dissipation
2.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDMA910PZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-9.4 A
Pulsed drain current-45 A
Power dissipation2.4 W
КорпусMicroFET
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance34 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9.4A; Idm: -45A; 2.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.