Антава

ONSEMI

Транзистор FDMA8878

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
10A
Pulsed drain current
40A
Power dissipation
2.4W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDMA8878
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current10A
Pulsed drain current40A
Power dissipation2.4W
КорпусWDFN6
Gate-source voltage±20V
On-state resistance21mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 2.4W; WDFN6

Документация

Документы пока не предоставлены.