Антава

ONSEMI

Транзистор FDMA86108LZ

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
2.2 A
Pulsed drain current
6 A
Power dissipation
2.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDMA86108LZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current2.2 A
Pulsed drain current6 A
Power dissipation2.4 W
КорпусMicroFET
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance446 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.2A; Idm: 6A; 2.4W; MicroFET

Документация

Документы пока не предоставлены.