ONSEMI

Транзистор FDMA410NZ

WDFN6Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 9.5 A
Power dissipation: 2.4 W
Корпус: WDFN6

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	FDMA410NZ
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	9.5 A
Power dissipation	2.4 W
Корпус	WDFN6
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	32 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.5A; 2.4W; WDFN6

Документация

Документы пока не предоставлены.