Антава

ONSEMI

Транзистор FDMA291P

FDMA291P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-6.6 A
Power dissipation
2.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDMA291P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-6.6 A
Power dissipation2.4 W
КорпусMicroFET
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance98 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.6A; 2.4W; MicroFET

Документация

Документ производителя