Антава

ONSEMI

Транзистор FDMA1029PZ

Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-3.1 A
Pulsed drain current
-6 A
Power dissipation
1.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDMA1029PZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-3.1 A
Pulsed drain current-6 A
Power dissipation1.4 W
КорпусMicroFET
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance141 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -6A; 1.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.