Антава

IXYS

Транзистор FDM47-06KC5

FDM47-06KC5
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™, HiPerDynFRED, Multi-Chip Configurations
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
32 A
Корпус
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDM47-06KC5
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™, HiPerDynFRED, Multi-Chip Configurations
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current32 A
КорпусISOPLUS i4-pac™ x024a
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance45 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Semiconductor structurediode/transistor
Features of semiconductor devicessuper junction coolmos
Topologybuck chopper
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolar; 600V; 32A

Документация

Документ производителя