Антава

ONSEMI

Транзистор FDL100N50F

FDL100N50F
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
UniFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
100 A
Power dissipation
2.5 kW

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 16 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 879,63 ₽

Сумма · с НДС 22%2 879,63 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 879,63 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDL100N50F
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияUniFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current100 A
Power dissipation2.5 kW
КорпусTO264
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance55 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge238nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264

Документация

Документ производителя