Антава

ONSEMI

Транзистор FDI150N10

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
57A
Pulsed drain current
228A
Power dissipation
110W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDI150N10
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current57A
Pulsed drain current228A
Power dissipation110W
КорпусI2PAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance16mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge53nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; I2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.