ONSEMI

Транзистор FDI045N10A-F102

I2PAKИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 164 A
Pulsed drain current: 656 A
Рассеиваемая мощность: 263 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	FDI045N10A-F102
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	164 A
Pulsed drain current	656 A
Рассеиваемая мощность	263 W
Корпус	I2PAK
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	4.5 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	54nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; I2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.