Антава

ONSEMI

Транзистор FDH3632

FDH3632
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
80 A
Power dissipation
310 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDH3632
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current80 A
Power dissipation310 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.