Антава

ONSEMI

Транзистор FDG6332C

FDG6332C
Type of transistor
N/P-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Kind of transistor
complementary pair
Drain-source voltage
20/-20V
Drain current
0.7/-0.6A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDG6332C
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN/P-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Kind of transistorcomplementary pair
Drain-source voltage20/-20V
Drain current0.7/-0.6A
Power dissipation0.3W
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Gate-source voltage±12V
On-state resistance442/700mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.5/0.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V

Документация

Документы пока не предоставлены.