Антава

ONSEMI

Транзистор FDG6317NZ

FDG6317NZ
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
0.7A
Power dissipation
0.3W
Корпус
SC70-6, SC88, SOT363
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDG6317NZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current0.7A
Power dissipation0.3W
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Gate-source voltage±12V
On-state resistance0.56Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W; ESD

Документация

Документ производителя