Антава

ONSEMI

Транзистор FDG6304P

FDG6304P
Type of transistor
P-MOSFET x2
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-25 V
Drain current
-0.41 A
Power dissipation
0.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 210 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%174,42 ₽

Сумма · с НДС 22%174,42 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1174,42 ₽
от 10108,78 ₽
от 10072,20 ₽
от 25061,89 ₽
от 50055,51 ₽
от 100050,45 ₽
от 300043,32 ₽
от 600042,39 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDG6304P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET x2
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-25 V
Drain current-0.41 A
Power dissipation0.3 W
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance1.9 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W

Документация

Документ производителя