Антава

ONSEMI

Транзистор FDD8880

FDD8880
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
58A
Power dissipation
55W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDD8880
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current58A
Power dissipation55W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance15mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.