Антава

ONSEMI

Транзистор FDD86567-F085

FDD86567-F085
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
227 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDD86567-F085
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность227 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge82nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.