Антава

ONSEMI

Транзистор FDD86367-F085

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
100 A
Power dissipation
227 W
Корпус
DPAK3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDD86367-F085
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current100 A
Power dissipation227 W
КорпусDPAK3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge68nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3

Документация

Документы пока не предоставлены.