Антава

ONSEMI

Транзистор FDD86367

FDD86367
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
100A
Power dissipation
227W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDD86367
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current100A
Power dissipation227W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance8.4mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge88nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.