Антава

ONSEMI

Транзистор FDD86113LZ

FDD86113LZ
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
4.2 A
Power dissipation
3.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDD86113LZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current4.2 A
Power dissipation3.1 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance0.104 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; 3.1W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.