Антава

ONSEMI

Транзистор FDD86110

FDD86110
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
50A
Power dissipation
127W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDD86110
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current50A
Power dissipation127W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance10.2mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.