Антава

ONSEMI

Транзистор FDD86102LZ

FDD86102LZ
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
35 A
Рассеиваемая мощность
54 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 233 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%443,28 ₽

Сумма · с НДС 22%443,28 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1443,28 ₽
от 5340,57 ₽
от 10297,32 ₽
от 50218,04 ₽
от 75203,62 ₽
от 100191,01 ₽
от 250167,58 ₽
от 500158,57 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDD86102LZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current35 A
Рассеиваемая мощность54 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK

Документация

Документ производителя