Антава

ONSEMI

Транзистор FDD850N10L

FDD850N10L
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
11.1 A
Рассеиваемая мощность
50 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 9 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%258,04 ₽

Сумма · с НДС 22%258,04 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1258,04 ₽
от 5214,18 ₽
от 10191,87 ₽
от 25165,15 ₽
от 100131,60 ₽
от 500124,97 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDD850N10L
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current11.1 A
Рассеиваемая мощность50 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance75 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK

Документация

Документ производителя