Антава

ONSEMI

Транзистор FDD8444

FDD8444
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
50 A
Power dissipation
153 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDD8444
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current50 A
Power dissipation153 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge89nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.