Антава

ONSEMI

Транзистор FDD6680AS

FDD6680AS
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
55A
Pulsed drain current
100A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDD6680AS
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current55A
Pulsed drain current100A
Power dissipation60W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance16mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 100A; 60W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.