Антава

ONSEMI

Транзистор FDD5680

FDD5680
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
8.5 A
Pulsed drain current
100 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDD5680
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current8.5 A
Pulsed drain current100 A
Power dissipation60 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance42 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge46nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 100A; 60W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.