Антава

ONSEMI

Транзистор FDD4685

FDD4685
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40V
Drain current
-32A
Power dissipation
69W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDD4685
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40V
Drain current-32A
Power dissipation69W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance42mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge27nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32A; 69W; DPAK

Документация

Документ производителя