Антава

ONSEMI

Транзистор FDD3682

FDD3682
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
32 A
Power dissipation
95 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDD3682
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current32 A
Power dissipation95 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance90 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge28nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK

Документация

Документ производителя