Антава

ONSEMI

Транзистор FDD3672

FDD3672
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
UltraFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
44A
Power dissipation
135W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDD3672
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyUltraFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current44A
Power dissipation135W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance68mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK

Документация

Документ производителя