Антава

ONSEMI

Транзистор FDD1600N10ALZ

FDD1600N10ALZ
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
6.8 A
Pulsed drain current
13.6 A
Рассеиваемая мощность
14.9 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDD1600N10ALZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current6.8 A
Pulsed drain current13.6 A
Рассеиваемая мощность14.9 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.16 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.78nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 13.6A; 14.9W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.