ONSEMI

Транзистор FDD13AN06A0-F085

TO252AAИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 50 A
Рассеиваемая мощность: 115 W
Корпус: TO252AA

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	FDD13AN06A0-F085
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	50 A
Рассеиваемая мощность	115 W
Корпус	TO252AA
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	13.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	22nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; TO252AA

Документация

Документы пока не предоставлены.