Антава

ONSEMI

Транзистор FDD13AN06A0

FDD13AN06A0
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
50A
Power dissipation
115W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDD13AN06A0
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current50A
Power dissipation115W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance34mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK

Документация

Документ производителя