Антава

ONSEMI

Транзистор FDC8886

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
6.5A
Pulsed drain current
25A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDC8886
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current6.5A
Pulsed drain current25A
Power dissipation1.6W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±20V
On-state resistance36mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; Idm: 25A; 1.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.