Антава

ONSEMI

Транзистор FDC658P

FDC658P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-4 A
Рассеиваемая мощность
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 594 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%229,93 ₽

Сумма · с НДС 22%229,93 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1229,93 ₽
от 5161,67 ₽
от 10139,04 ₽
от 50101,85 ₽
от 10090,89 ₽
от 50073,29 ₽
от 100068,62 ₽
от 150067,18 ₽
от 300064,85 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDC658P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-4 A
Рассеиваемая мощность1.6 W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6

Документация

Документ производителяДокумент производителя