Антава

ONSEMI

Транзистор FDC658AP

FDC658AP
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-4 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 32 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%176,65 ₽

Сумма · с НДС 22%176,65 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1176,65 ₽
от 5134,10 ₽
от 10114,92 ₽
от 5080,54 ₽
от 10070,09 ₽
от 50054,33 ₽
от 100049,96 ₽
от 150048,06 ₽
от 300046,35 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDC658AP
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-4 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance75 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6

Документация

Документ производителя