Антава

ONSEMI

Транзистор FDC655BN

FDC655BN
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
6.3 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDC655BN
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current6.3 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance36 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6

Документация

Документ производителя