Антава

ONSEMI

Транзистор FDC645N

FDC645N
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
5.5 A
Power dissipation
1.6 W
Корпус
SuperSOT-6
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDC645N
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current5.5 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance48 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6

Документация

Документы пока не предоставлены.