Антава

ONSEMI

Транзистор FDC6401N

FDC6401N
Type of transistor
N-MOSFET x2
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
3A
Power dissipation
0.96W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDC6401N
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current3A
Power dissipation0.96W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±12V
On-state resistance106mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6

Документация

Документ производителя