Антава

ONSEMI

Транзистор FDC638P

FDC638P
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-4.5 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDC638P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-4.5 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance72 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6

Документация

Документ производителя