Антава

ONSEMI

Транзистор FDC638APZ

FDC638APZ
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-4.5A
Power dissipation
1.6W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDC638APZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-4.5A
Power dissipation1.6W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±12V
On-state resistance72mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6

Документация

Документ производителя