Антава

ONSEMI

Транзистор FDC6318P

FDC6318P
Type of transistor
P-MOSFET x2
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-12V
Drain current
-2.5A
Power dissipation
0.96W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDC6318P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET x2
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12V
Drain current-2.5A
Power dissipation0.96W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±8V
On-state resistance0.2Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6

Документация

Документ производителя