Антава

ONSEMI

Транзистор FDC6312P

FDC6312P
Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-2.3A
Power dissipation
0.96W
Корпус
SuperSOT-6
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDC6312P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-2.3A
Power dissipation0.96W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±8V
On-state resistance0.15Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6

Документация

Документ производителя